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    onsemi QFET FQT4N20LTF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 850 mA 2,2 W, 3-Pin SOT-223

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    RS Best.-Nr.:
    166-1837
    Herst. Teile-Nr.:
    FQT4N20LTF
    Marke:
    onsemi

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.850 mA
    Drain-Source-Spannung max.200 V
    SerieQFET
    GehäusegrößeSOT-223
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.1,35 Ω
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.1V
    Verlustleistung max.2,2 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Breite3.56mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs4 nC @ 5 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Länge6.5mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    Höhe1.6mm

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