onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 7 A 5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
166-2649
Herst. Teile-Nr.:
FDS86141
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.8nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

4mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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