onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 750 mA 360 mW, 6-Pin SOT-363
- RS Best.-Nr.:
- 166-2658
- Herst. Teile-Nr.:
- FDG8850NZ
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 166-2658
- Herst. Teile-Nr.:
- FDG8850NZ
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 750 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SOT-363 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 400 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.65V | |
| Verlustleistung max. | 360 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Breite | 1.25mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 2mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,03 nC @ 4,5 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 750 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SOT-363 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 400 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.65V | ||
Verlustleistung max. 360 mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Breite 1.25mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 2mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,03 nC @ 4,5 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 1mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Zweifach-N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Bei Semis PowerTrench ® MOSFETs handelt es sich um optimierte Leistungsschaltgeräte, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückkehr-Rückgewinnung und eine weiche Rückgewinnungs-Gehäusediode, um zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.
Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.
Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench N-Kanal Dual 6-Pin SOT-363
- onsemi PowerTrench N-Kanal Dual2 A 300 mW 6-Pin SOT-363
- onsemi PowerTrench N-Kanal 6-Pin SOT-363 (SC-70)
- onsemi PowerTrench P-Kanal Dual 6-Pin SOT-363 (SC-70)
- onsemi PowerTrench N/P-Kanal Dual 700 mA 300 mW, 6-Pin SOT-363 (SC-70)
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin BSS123 SOT-23
- onsemi N/P-Kanal-Kanal Dual 700 mA 300 mW, 6-Pin SOT-363
