onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 750 mA 360 mW, 6-Pin SOT-363

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RS Best.-Nr.:
166-2658
Herst. Teile-Nr.:
FDG8850NZ
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

750 mA

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SOT-363

Serie

PowerTrench

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

400 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.65V

Verlustleistung max.

360 mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

1.25mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

2mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

1,03 nC @ 4,5 V

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Zweifach-N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


Bei Semis PowerTrench ® MOSFETs handelt es sich um optimierte Leistungsschaltgeräte, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückkehr-Rückgewinnung und eine weiche Rückgewinnungs-Gehäusediode, um zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.
Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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