onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche Dual-N-Kanal-Leistungsgraben-MOSFET 40 V Erweiterung / 12 A 1.9 W,

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

9,28 €

(ohne MwSt.)

11,045 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • 370 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Die letzten 2.150 Einheit(en) mit Versand ab 27. Januar 2026
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 251,856 €9,28 €
30 - 1451,658 €8,29 €
150 - 7451,464 €7,32 €
750 - 14951,262 €6,31 €
1500 +1,082 €5,41 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
806-3504
Herst. Teile-Nr.:
FDMC8030
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Dual-N-Kanal-Leistungsgraben-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

Leistung 33

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.9W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

±12 V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3mm

Normen/Zulassungen

Lead-Free and RoHS

Höhe

0.75mm

Breite

3 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


Bei Semis PowerTrench ® MOSFETs handelt es sich um optimierte Leistungsschaltgeräte, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückkehr-Rückgewinnung und eine weiche Rückgewinnungs-Gehäusediode, um zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.

Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links