onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 16 A 1.9 W, 8-Pin WDFN FDMC7208S
- RS Best.-Nr.:
- 806-3490
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC7208S
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
7,79 €
(ohne MwSt.)
9,27 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Nur noch Restbestände
- Letzte 1.210 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,558 € | 7,79 € |
| 50 - 95 | 1,342 € | 6,71 € |
| 100 - 495 | 1,164 € | 5,82 € |
| 500 - 995 | 1,022 € | 5,11 € |
| 1000 + | 0,932 € | 4,66 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 806-3490
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC7208S
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.9W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Breite | 3 mm | |
| Länge | 3mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.9W | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.75mm | ||
Breite 3 mm | ||
Länge 3mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Zweifach-MOSFET PowerTrench® SyncFET™, Fairchild Semiconductor
Entwickelt zur Minimierung des Verlusts bei der Leistungsumwandlung bei gleichzeitiger Beibehaltung einer ausgezeichneten Schaltleistung.
Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(ein)
SyncFET™ profitiert von einer effizienten Diode mit Schottky-Gehäuse.
Anwendungen: Synchrone DC/DC-Gleichrichtungskonverter, Motorantriebe, Point-of-Load-Netzwerkschalter für Niederspannungsseite
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin FDMC8010 WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin WDFN
- onsemi NVTFS5C471NL Typ N-Kanal 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin WDFN
- onsemi NTTFS4C02N Typ N-Kanal 8-Pin WDFN