onsemi QFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 2.8 A 49 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
RS Best.-Nr.:
166-3701
Herst. Teile-Nr.:
FQD5N60CTM
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

QFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

49W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Durchlassspannung Vf

1.4V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.39mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET QFET®, bis zu 5,9 A, Fairchild Semiconductor


Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links