NexFET CSD18563Q5A N-Kanal MOSFET, 60 V / 100 A, 3,2 W, VSON-FET 8-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: MY
Produktdetails

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

MOSFET-Transistoren, Texas Instruments

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 100 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße VSON-FET
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 10,8 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.4V
Gate-Schwellenspannung min. 1.7V
Verlustleistung max. 3,2 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Serie NexFET
Betriebstemperatur min. –55 °C
Betriebstemperatur max. +150 °C
Transistor-Werkstoff Si
Länge 5.8mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 15 nC @ 10 V
Höhe 1.1mm
Breite 5mm
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 2500)
0,665
(ohne MwSt.)
0,791
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +
0,665 €
1.662,50 €
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