Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 66 W, 8-Pin VSONP

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RS Best.-Nr.:
208-8482
Herst. Teile-Nr.:
CSD18543Q3A
Marke:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

VSONP

Serie

NexFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

66W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.25mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.9mm

Breite

3.1 mm

Automobilstandard

Nein

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