Texas Instruments NexFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 50 A 63 W, 8-Pin VSONP
- RS Best.-Nr.:
- 208-8486
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD19534Q5A
- Marke:
- Texas Instruments
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- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | NexFET | |
| Gehäusegröße | VSONP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.9mm | |
| Höhe | 900μm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie NexFET | ||
Gehäusegröße VSONP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.9mm | ||
Höhe 900μm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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