IXYS HiperFET, Polar3 IXFB110N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 110 A 1,89 kW, 3-Pin PLUS264

RS Best.-Nr.:: 168-4726
Herst. Teile-Nr.:: IXFB110N60P3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar3 IXFB110N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 110 A 1,89 kW, 3-Pin PLUS264

Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.

Preis pro Stück (In einer Stange von 25)

20,798 €

(ohne MwSt.)

24,75 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
25 +	20,798 €	519,95 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 168-4726
Herst. Teile-Nr.:: IXFB110N60P3
Marke:: IXYS

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: US

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™

N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	110 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	PLUS264
Serie	HiperFET, Polar3
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	56 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	1,89 kW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Länge	20.29mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	245 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	5.31mm
Höhe	26.59mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C