IXYS Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 600 V / 90 A 1.5 kW, 4-Pin IXFN110N60P3 SOT-227

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 10 Stück)*

345,07 €

(ohne MwSt.)

410,63 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 70 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
10 +34,507 €345,07 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
168-4756
Herst. Teile-Nr.:
IXFN110N60P3
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

SOT-227

Montageart

Panel

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

56mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

245nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.5kW

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

9.6mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

25.07 mm

Länge

38.23mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
US

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links