IXYS HiperFET, Polar3 IXFN80N60P3 N-Kanal, Schraub MOSFET 600 V / 66 A 960 W, 4-Pin SOT-227

RS Best.-Nr.:: 168-4759
Herst. Teile-Nr.:: IXFN80N60P3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar3 IXFN80N60P3 N-Kanal, Schraub MOSFET 600 V / 66 A 960 W, 4-Pin SOT-227

Voraussichtlich ab 04.03.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer Stange von 10)

26,953 €

(ohne MwSt.)

32,074 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
10 - 10	26,953 €	269,53 €
20 - 40	25,875 €	258,75 €
50 +	25,067 €	250,67 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 168-4759
Herst. Teile-Nr.:: IXFN80N60P3
Marke:: IXYS

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: US

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™

N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	66 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	SOT-227
Serie	HiperFET, Polar3
Montage-Typ	Schraubmontage
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	70 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	960 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Breite	25.07mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	190 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	38.23mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	9.6mm