- RS Best.-Nr.:
- 168-4939
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD18536KTTT
- Marke:
- Texas Instruments
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 349 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Serie | NexFET |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,2 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.4V |
| Verlustleistung max. | 375 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 230 nC bei 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 11.33mm |
| Länge | 10.67mm |
| Höhe | 4.83mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V |
- RS Best.-Nr.:
- 168-4939
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD18536KTTT
- Marke:
- Texas Instruments
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