Infineon CoolMOS CE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 14.1 A 98 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
168-5909
Herst. Teile-Nr.:
IPD50R380CEAUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

550V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

CoolMOS CE

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

380mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.85V

Maximale Verlustleistung Pd

98W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24.8nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.41mm

Länge

6.73mm

Breite

6.22mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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