Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
168-5985
Herst. Teile-Nr.:
IRFH5006TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

69nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.85mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5 mm

Länge

6mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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