Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 259 A 156 W PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-9380
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH7004TRPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
6,81 €
(ohne MwSt.)
8,105 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,362 € | 6,81 € |
| 50 - 120 | 1,242 € | 6,21 € |
| 125 - 245 | 1,21 € | 6,05 € |
| 250 - 495 | 1,176 € | 5,88 € |
| 500 + | 1,148 € | 5,74 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9380
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH7004TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 259A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 129nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 259A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 129nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.9mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFH-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 5x6-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation
Breites Portfolio verfügbar
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 259 A 156 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 265 A 156 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET N-Kanal 8-Pin PQFN 5 x 6
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 40 A PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 88 A PQFN