Infineon HEXFET IRFS3307ZTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 128 A 230 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 168-6010
Herst. Teile-Nr.:: IRFS3307ZTRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFS3307ZTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 128 A 230 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 800)

1,392 €

(ohne MwSt.)

1,656 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
800 - 800	1,392 €	1.113,60 €
1600 +	1,322 €	1.057,60 €

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RS Best.-Nr.:: 168-6010
Herst. Teile-Nr.:: IRFS3307ZTRLPBF
Marke:: Infineon

IRFB3307ZPbF, IRFS3307ZPbF, IRFSL3307ZPbF, HEXFET Power MOSFET 75V
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	128 A
Drain-Source-Spannung max.	75 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	5,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	230 W
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	9.65mm
Länge	10.67mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	79 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	4.83mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.3V

Infineon HEXFET IRFS3307ZTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 128 A 230 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon

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