Infineon HEXFET IRLR3410TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

Der Infineon IRLR3410 ist der 100-V-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem N-Kanal in einem D-Pak-Gehäuse. Der D-PAK wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahren entwickelt.

Advanced Prozesstechnologie
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig lawinengeprüft

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.