STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 3 A 60 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 168-7120
- Herst. Teile-Nr.:
- STP4N80K5
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | MDmesh K5, SuperMESH5 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 60W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Breite | 4.6mm | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie MDmesh K5, SuperMESH5 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 60W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Breite 4.6mm | ||
Höhe 15.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MDmesh™ K5-Serie, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
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