Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 225 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 168-7995
Herst. Teile-Nr.:: TK72E12N1,S1X(S
Marke:: Toshiba

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 225 W, 3-Pin TO-220

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250 - 450	1,768 €	88,40 €
500 +	1,724 €	86,20 €

**Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 168-7995
Herst. Teile-Nr.:: TK72E12N1,S1X(S
Marke:: Toshiba

TK72E12N1, MOSFET Silicon N-Channel MOS (U-MOS VIII-H)
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	72 A
Drain-Source-Spannung max.	120 V
Serie	TK
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	4,4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	225 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	130 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.45mm
Länge	10.16mm
Höhe	15.1mm

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 225 W, 3-Pin TO-220

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MOSFET-N-Kanal, Serie TK6 und TK7, Toshiba

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