STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 26 A 190 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
168-8076
Herst. Teile-Nr.:
STW33N60M2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

MDmesh M2

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Verlustleistung Pd

190W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.15 mm

Höhe

20.15mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.75mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics


Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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