STMicroelectronics MDmesh M2 STW33N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A 190 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 168-8076
Herst. Teile-Nr.:: STW33N60M2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M2 STW33N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A 190 W, 3-Pin TO-247

Voraussichtlich ab 10.06.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer Stange von 30)

3,782 €

(ohne MwSt.)

4,501 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
30 - 60	3,782 €	113,46 €
90 - 480	3,014 €	90,42 €
510 +	2,689 €	80,67 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 168-8076
Herst. Teile-Nr.:: STW33N60M2
Marke:: STMicroelectronics

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics

Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	26 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	MDmesh M2
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	125 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	190 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	45,5 nC @ 10 V
Breite	5.15mm
Länge	15.75mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	20.15mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C