Infineon Isoliert HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 50 V Erweiterung / 3 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
168-8757
Herst. Teile-Nr.:
IRF7103TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

200mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 3A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2W maximale Verlustleistung - IRF7103TRPBF


Dieser MOSFET ist für eine effiziente Leistung in verschiedenen Anwendungen ausgelegt. Seine robuste Konstruktion ist besonders vorteilhaft für Schaltungen, die ein effektives Energiemanagement erfordern, und eignet sich daher für den Elektro- und Automatisierungssektor. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 50 V gewährleistet er zuverlässige Schalteigenschaften, die den Anforderungen der Anwendung entsprechen.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedriger Rds(on) von 200mΩ für verbesserte Effizienz

• Maximaler Dauerstrom von 3 A verbessert die Belastbarkeit

• Betriebstemperaturen von bis zu +150°C für erhöhte Zuverlässigkeit

• Breiter Gate-Schwellenwertbereich von 1V bis 3V für flexible Steuerung

• Doppelte isolierte Transistorkonfiguration erleichtert die Schaltungsintegration

• Oberflächenmontage vereinfacht die Leiterplattenmontage und optimiert den Platzbedarf

Anwendungsbereich


• Einsatz in Stromversorgungsdesigns für energieeffizienten Betrieb

• Integriert in den Motorantrieb für eine effiziente Motorsteuerung

• Eingesetzt in Schaltnetzteilen für verbesserte Leistung

• Geeignet für Automatisierungssysteme, die zuverlässige Schaltkomponenten benötigen

Welcher Betriebstemperaturbereich wird für dieses Bauteil empfohlen?


Das Bauteil arbeitet effizient in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und gewährleistet Zuverlässigkeit in verschiedenen Umgebungen.

Wie bestimmt man die geeignete Gate-Spannung für eine optimale Leistung?


Die zulässige Gate-Source-Spannung variiert von -20V bis +20V und bietet somit Flexibilität bei der Entwicklung von Steuerschaltungen. Um optimale Ergebnisse zu erzielen, wird ein Betrieb in der Nähe von 10 V empfohlen, wie aus den typischen Spezifikationen für die Gate-Ladung hervorgeht.

Welche Sicherheitsvorkehrungen sollten bei der Verwendung dieses Geräts getroffen werden?


Es ist wichtig, dass die Spannungs- und Stromwerte während des Betriebs nicht überschritten werden, um mögliche Ausfälle oder Schäden zu vermeiden. Darüber hinaus kann eine geeignete Kühlung erforderlich sein, um optimale Betriebstemperaturen bei hoher Belastung aufrechtzuerhalten.

Kann es in Schaltungen eingesetzt werden, die schnelles Schalten erfordern?


Ja, dieser MOSFET ist für schnelles Schalten ausgelegt und eignet sich daher gut für Anwendungen, die eine hohe Geschwindigkeit erfordern, wie z. B. PWM-Steuerung in Motortreibern.

Ist dieser MOSFET mit Standard-Leiterplattenlayouts kompatibel?


Das oberflächenmontierbare Design entspricht Standard-PCB-Layouts und erleichtert die Integration in bestehende Schaltungen mit minimalen Anpassungen bei der Platzierung.

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