Infineon HEXFET IRF7103TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 50 V / 3 A 2 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 168-8757
Herst. Teile-Nr.:: IRF7103TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF7103TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 50 V / 3 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 168-8757
Herst. Teile-Nr.:: IRF7103TRPBF
Marke:: Infineon

IRF7103, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	3 A
Drain-Source-Spannung max.	50 V
Gehäusegröße	SOIC
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	200 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	2 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	5mm
Breite	4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Gate-Ladung typ. @ Vgs	12 nC @ 10 V
Höhe	1.5mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET IRF7103TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 50 V / 3 A 2 W, 8-Pin SOIC

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon

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