STMicroelectronics MDmesh M2 STW70N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 68 A 450 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 168-8976
Herst. Teile-Nr.:: STW70N60M2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M2 STW70N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 68 A 450 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 168-8976
Herst. Teile-Nr.:: STW70N60M2
Marke:: STMicroelectronics

STW70N60M2, N-Channel 600V, 0.03 Ohm, 68A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 Package
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	68 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	MDmesh M2
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	40 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	450 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	118 nC @ 10 V
Länge	15.75mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	20.15mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	5.15mm
Diodendurchschlagsspannung	1.6V

STMicroelectronics MDmesh M2 STW70N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 68 A 450 W, 3-Pin TO-247

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics

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