DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 68.8 A 62.5 W, 4-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 168-9518
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT10H010LK3-13
- Marke:
- DiodesZetex
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- DMT10H010LK3-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 68.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | DMT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.58mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Höhe | 2.29mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 68.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie DMT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.58mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.1 mm | ||
Höhe 2.29mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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