Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,8 A 900 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
169-8935
Herst. Teile-Nr.:
TSM2302CX RFG
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

2,8 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SOT-23

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

65 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.2V

Verlustleistung max.

900 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–8 V, +8 V

Breite

1.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

3,69 nC @ 4,5 V

Länge

3.05mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

0.95mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

N-Kanal Leistungs-MOSFET, Taiwan Semiconductor



MOSFET-Transistoren, Taiwan Semiconductor

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