Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
169-9285
Herst. Teile-Nr.:
TSM2310CX RFG
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

4 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SOT-23

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

100 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.2V

Verlustleistung max.

1,25 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

3.1mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

8,6 nC @ 10 V

Breite

1.7mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

1.2mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN

N-Kanal Leistungs-MOSFET, Taiwan Semiconductor



MOSFET-Transistoren, Taiwan Semiconductor

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