Taiwan Semiconductor P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A 2 W, 6-Pin SOT-26
- RS Best.-Nr.:
- 169-9284
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM3457CX6 RFG
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Nicht verfügbar
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- TSM3457CX6 RFG
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SOT-26 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 100 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 2 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 9,52 nC @ 10 V | |
| Länge | 3.1mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 1.7mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SOT-26 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 100 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3V | ||
Verlustleistung max. 2 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 9,52 nC @ 10 V | ||
Länge 3.1mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 1.7mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1.1mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal Leistungs-MOSFET, Taiwan Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Taiwan Semiconductor
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