Infineon IPD600N25N3 G N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 25 A 136 W, 5-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 170-2288
Herst. Teile-Nr.:: IPD600N25N3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD600N25N3 G N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 25 A 136 W, 5-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 170-2288
Herst. Teile-Nr.:: IPD600N25N3GATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	25A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	IPD600N25N3 G
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	5
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	60mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	136W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	22nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	2.41mm
	Länge	6.73mm
	Breite	7.47mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie IPD600N25N3 G
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 5
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 136W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 2.41mm
	Länge 6.73mm
	Breite 7.47mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Infineon IPD600N25N3 Serie G MOSFET, 250 V maximale Drain-Source-Spannung, 25 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IPD600N25N3GATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Leistungsschalt- und Umwandlungsaufgaben in kompakten oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine robuste Handhabung der Drain-Source-Spannung und eine moderate Dauerstrombelastbarkeit bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung eines effizienten Schaltverhaltens erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 250 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 60 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste für verbesserte Effizienz
• 25 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Dauerlastbetrieb
• Die typische Gate-Ladung von 22 nC ermöglicht eine effektive Schaltsteuerung
• Die Durchlassspannung von 0.9 V minimiert die Leitungsverluste der Diode
• Maximale Verlustleistung von 136 W ermöglicht eine hohe Verarbeitungsleistung

Anwendungsbereich

• Geeignet für DC/DC-Wandler-Leistungsstufen
• Ideal für Frequenzumrichter mit Motorantrieb
• Wird mit Schaltnetzteilen für primäres Schalten verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für Hochspannungs-Relais- und Magnettreiber

Welche thermische Umgebung kann er während des Betriebs vertragen?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz sowohl in Kaltstart- als auch in Anlagen mit erhöhter Temperatur.

Wie ist es für die Montage an Baugruppen vorgesehen?

Das Gerät wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konfiguriert ist, um die Integration auf kompakten Leiterplatten zu erleichtern.

Welche Gate-Drive-Einschränkungen sollten beachtet werden?

Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um eine Überlastung des Gates zu verhindern, daher sollten die Gate-Treiber entsprechend ausgewählt werden.

Wie viele elektrische Anschlüsse sind für das Schaltungslayout verfügbar?

Die Komponente verfügt über fünf Stifte und bietet mehrere Anschlusspunkte für Drain, Source, Gate und Montage.