Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 25 A 136 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 124-8755
Herst. Teile-Nr.:: IPB600N25N3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 25 A 136 W, 3-Pin TO-263

Zwischensumme (1000 Stück, auf einer Rolle mit 1000)*

1.372,00 €

(ohne MwSt.)

1.633,00 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 30. Juni 2027

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
1000 +	1,372 €	1.372,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 124-8755
Herst. Teile-Nr.:: IPB600N25N3GATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	25A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Serie	OptiMOS 3
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	60mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20V, +20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	22nC
	Maximale Verlustleistung Pd	136W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	9.45mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.31mm
	Höhe	4.57mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Serie OptiMOS 3
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC
	Maximale Verlustleistung Pd 136W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 9.45mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.31mm
	Höhe 4.57mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Infineon OptiMOS 3 Serie MOSFET, 250 V Drain-Source-Spannung, 25 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPB600N25N3GATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für Leistungsumwandlungs- und Schaltaufgaben in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen sehr breiten Temperaturbereich und ist für die Oberflächenmontage konfiguriert, wodurch er eine kompakte Grundfläche für das Wärmemanagement in Baugruppen bietet, bei denen eine robuste Leistungsaufnahme und Gate-Steuerung erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 250 V Drain-to-Source ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• Der Einschaltwiderstand von 60 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• 25 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Dauerbetrieb bei hoher Belastung
• Die Verlustleistung von 136 W ermöglicht eine erhebliche Wärmemanagement in Schaltkreisen
• 22 nC Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie und Antriebsdesign
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungsbereiche

Anwendungsbereiche

• Geeignet für Hochspannungs-SMPS-Primärschaltstufen
• Ideal für industrielle Motor-Antriebs-Wechselrichterbeine
• Wird für DC/DC-Wandler in Telekommunikations-Stromversorgungssystemen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Ladegerättopologie verwendet werden
• Eingesetzt in der universellen Stromversorgungsschaltung auf oberflächenmontierten Leiterplatten

Welchen thermischen Bereich kann er während des Betriebs tolerieren?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit extremen Temperaturschwankungen.

Welcher Gehäusetyp erleichtert die Montage und die Wärmeübertragung?

Er wird in einem oberflächenmontierten TO-263-Gehäuse geliefert, das die Lötmontage erleichtert und ein großes Wärmeleitpad für die Wärmeverteilung des Widerstands bietet.

Wie verhält sich das Gerät bei der Gate-Drive-Konstruktion?

Die typische Gate-Ladung von 22 nC liefert eine quantifizierbare Schaltenergie für die Größe der Gate-Treiber und schätzt die Schaltverluste.

Welche Leitungsleistung sollten Konstrukteure unter Last erwarten?

Mit einem maximalen angegebenen Drain-Source-Widerstand von 60 mΩ können Konstrukteure Leitungsverluste für Strompfade bis zum Bemessungsdauerstrom von 25 A berechnen.