Infineon OptiMOS™ 3 IPB600N25N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 25 A 136 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 826-9204
Herst. Teile-Nr.:: IPB600N25N3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 IPB600N25N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 25 A 136 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

2,401 €

(ohne MwSt.)

2,857 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 10	2,401 €	24,01 €
20 - 40	2,282 €	22,82 €
50 - 90	2,185 €	21,85 €
100 - 240	2,089 €	20,89 €
250 +	1,945 €	19,45 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 826-9204
Herst. Teile-Nr.:: IPB600N25N3GATMA1
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	25 A
Drain-Source-Spannung max.	250 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	OptiMOS™ 3
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	60 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	136 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	9.45mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10.31mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	22 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.57mm