Infineon OptiMOS™ 3 IPP320N20N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 34 A 136 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 823-5642
Herst. Teile-Nr.:: IPP320N20N3GXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 IPP320N20N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 34 A 136 W, 3-Pin TO-220

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Preis pro Stück (In einer VPE à 2)

3,235 €

(ohne MwSt.)

3,85 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 98	3,235 €	6,47 €
100 - 198	2,355 €	4,71 €
200 - 498	2,235 €	4,47 €
500 - 998	1,985 €	3,97 €
1000 +	1,915 €	3,83 €

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RS Best.-Nr.:: 823-5642
Herst. Teile-Nr.:: IPP320N20N3GXKSA1
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: MY

Produktdetails

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	34 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	OptiMOS™ 3
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	32 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	136 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4.57mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	10.36mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	22 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	15.95mm