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    Infineon OptiMOS™ 3 IPP320N20N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 34 A 136 W, 3-Pin TO-220

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    Pro Packung*
    2 - 983,235 €6,47 €
    100 - 1982,355 €4,71 €
    200 - 4982,235 €4,47 €
    500 - 9981,985 €3,97 €
    1000 +1,915 €3,83 €

    *Bitte VPE beachten

    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    823-5642
    Herst. Teile-Nr.:
    IPP320N20N3GXKSA1
    Marke:
    Infineon

    Ursprungsland:
    MY
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.34 A
    Drain-Source-Spannung max.200 V
    GehäusegrößeTO-220
    SerieOptiMOS™ 3
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.32 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.136 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Breite4.57mm
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Transistor-WerkstoffSi
    Länge10.36mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs22 nC @ 10 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    Höhe15.95mm

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