Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 34 A 136 W, 3-Pin TO-220

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

6,66 €

(ohne MwSt.)

7,92 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 4 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
  • Zusätzlich 14 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
  • Zusätzlich 294 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 983,33 €6,66 €
100 - 1982,425 €4,85 €
200 - 4982,30 €4,60 €
500 - 9982,045 €4,09 €
1000 +1,97 €3,94 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
823-5642
Herst. Teile-Nr.:
IPP320N20N3GXKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

34A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

32mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

15.95mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.36mm

Breite

4.57 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 34 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 136 W maximale Verlustleistung - IPP320N20N3GXKSA1


Dieser MOSFET bietet eine hohe Leistung für verschiedene elektronische Anwendungen. Mit einer kontinuierlichen Drain-Stromkapazität von bis zu 34 A und einer Drain-Source-Spannung von 200 V ist er eine effiziente Stromversorgungslösung. Der Anreicherungsmodus gewährleistet eine zuverlässige Leistung in Schaltungen, die eine schaltende und synchrone Gleichrichtung erfordern.

Eigenschaften und Vorteile


• N-Kanal-Design für effektive Leistungsumwandlung

• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Energieverluste

• Hohe Betriebstemperaturtoleranz für extreme Bedingungen

• Kompatibel mit hochfrequenten Schaltanwendungen

• Pb-frei und RoHS-konform für umweltfreundlichen Einsatz

• Halogenfreie Materialien verbessern Sicherheit und Konformität

Anwendungsbereich


• Einsatz in Stromversorgungen für die industrielle Automation

• Geeignet für synchrone Gleichrichtung in DC-DC-Wandlern

• Anwendbar in Ladesystemen für Elektrofahrzeuge

• Ideal für Batteriemanagementsysteme in der Unterhaltungselektronik

• Einsatz in Wechselrichtern für erneuerbare Energien zur effizienten Energieübertragung

Wie groß ist der maximale Temperaturbereich für den Betrieb?


Das Bauteil arbeitet effektiv zwischen -55°C und +175°C und ist somit für verschiedene Umgebungsbedingungen geeignet.

Kann er hohe Ableitströme bewältigen?


Ja, er unterstützt kontinuierliche Ableitströme von bis zu 34 A und ist damit für Hochleistungsanwendungen geeignet.

Welche Vorteile bietet die Funktion "niedriger RDS(on)"?


Der niedrige Einschaltwiderstand senkt die Energieverluste während des Betriebs erheblich und verbessert die Effizienz von Hochleistungsschaltanwendungen.

Ist er für den Einsatz im Automobilbereich geeignet?


Mit seiner hohen Temperaturbeständigkeit und seinem geringen Durchlasswiderstand eignet er sich für Anwendungen in der Automobilindustrie und bietet Leistung unter schwierigen Bedingungen.

Wie kann ich bei der Installation eine angemessene Wärmeableitung sicherstellen?


Um ein effektives Wärmemanagement zu erreichen, stellen Sie sicher, dass der MOSFET auf einem Kühlkörper oder einer Leiterplatte mit ausreichender Kupferfläche montiert ist, damit die während des Betriebs entstehende Wärme abgeleitet werden kann.

Verwandte Links