Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 9.3 A 100 W, 3-Pin TO-252

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222-4614
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFR4292TRL
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

345mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.73 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.39mm

Länge

6.22mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawineneinstufung. Diese Merkmale machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Advanced Prozesstechnologie

Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten

Bleifrei, RoHS-konform

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