Infineon HEXFET AUIRFR4292TRL N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 9,3 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawineneinstufung. Diese Merkmale machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Advanced Prozesstechnologie
Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten
Bleifrei, RoHS-konform