Infineon BSC070N10NS5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 80 A 83 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 170-2298
Herst. Teile-Nr.:: BSC070N10NS5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSC070N10NS5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 80 A 83 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:: 170-2298
Herst. Teile-Nr.:: BSC070N10NS5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	80A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Serie	BSC070N10NS5
	Gehäusegröße	TDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	10.2mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	83W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	30nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	5.49mm
	Höhe	1.1mm
	Breite	6.35mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Serie BSC070N10NS5
	Gehäusegröße TDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 10.2mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 83W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 5.49mm
	Höhe 1.1mm
	Breite 6.35mm
	Automobilstandard Nein

Infineon BSC070N10NS5 Serie MOSFET, 80 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 80 V maximale Drain-Source-Spannung - BSC070N10NS5ATMA1

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Hochstromverstärkungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsstufen entwickelt wurde. Er ist für Schalt- und Leistungsumwandlungsanwendungen vorgesehen, bei denen eine kompakte Montage und eine robuste Leitfähigkeit erforderlich sind. Die Komponente arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine hohe Stromverarbeitung und Gate-Drive-Toleranz erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Sehr niedrige Rds(on) von 10,2 mΩ für geringere Leitungsverluste
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 80 A ermöglicht den Betrieb mit hoher Belastung
• Maximal-Vds 80 V für Mittelspannungs-Stromversorgungssysteme
• Typische Gate-Ladung 30 nC für effiziente Schaltsteuerung
• Spitzenverlustleistung von 83 W zur Bewältigung thermischer Belastungen
• Gate-Source-Grenzspannung 20 V zum Schutz der Antriebsschaltkreise

Anwendungsbereich

• Geeignet für synchrone Abwärtswandlerstufen
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrücken-Baugruppen
• Verwendung mit Hochstrom-DC/DC-Wandlern
• Kann für Server-Stromverteilungsmodule verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikations-Gleichrichter und Schaltanlagen

Welche thermischen Extreme kann das Gerät im Betrieb tolerieren?

Er ist für den zuverlässigen Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen thermischen Umgebungen.

Wie viele Stifte und welche Montageart wird verwendet?

Das Gehäuse enthält acht Pins und wird in einem TDSON-Oberflächenmontageformat für eine kompakte Platzierung der Leiterplatte geliefert.

Welcher Kanaltyp und welcher Modus werden für die Umschaltung implementiert?

Der Transistor verwendet einen N-Typ-Kanal im Enhancement-Modus, der einen positiven Gate-Antrieb zur Leitung erfordert.

Welche physischen Abmessungen beeinflussen das Board-Layout und die Platzierung?

Das Gehäuse misst 5,49 mm in der Länge, 6,35 mm in der Breite und 1,1 mm in der Höhe und informiert so über die Grundfläche und das Abstanddesign.