Infineon BSC070N10NS5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 80 A 83 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 171-1963
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC070N10NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 171-1963
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC070N10NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | BSC070N10NS5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 5.49mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie BSC070N10NS5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 5.49mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon BSC070N10NS5 ist der 100-V-OptiMOS 5-Leistungs-MOSFET in TOLL. Dieser MOSFET ist für synchrone Gleichrichtung optimiert und ideal für hohe Schaltfrequenz. Dieser MOSFET hat höchste Systemeffizienz und reduzierte Schalt- und Leitungsverluste.
Optimiert für Hochleistungs-SMPS
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Überlegener Wärmewiderstand
N-Kanal
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