Infineon BSC070N10NS5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 80 A 83 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
171-1963
Herst. Teile-Nr.:
BSC070N10NS5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

BSC070N10NS5

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Breite

6.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.49mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon BSC070N10NS5 ist der 100-V-OptiMOS 5-Leistungs-MOSFET in TOLL. Dieser MOSFET ist für synchrone Gleichrichtung optimiert und ideal für hohe Schaltfrequenz. Dieser MOSFET hat höchste Systemeffizienz und reduzierte Schalt- und Leitungsverluste.

Optimiert für Hochleistungs-SMPS

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Überlegener Wärmewiderstand

N-Kanal

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