Infineon BSC040N08NS5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 104 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 170-2307
Herst. Teile-Nr.:: BSC040N08NS5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSC040N08NS5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 104 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:: 170-2307
Herst. Teile-Nr.:: BSC040N08NS5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	100A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Serie	BSC040N08NS5
	Gehäusegröße	TDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	5.7mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	0.88V
	Maximale Verlustleistung Pd	104W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	43nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.35mm
	Länge	5.49mm
	Höhe	1.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Serie BSC040N08NS5
	Gehäusegröße TDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.7mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 0.88V
	Maximale Verlustleistung Pd 104W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.35mm
	Länge 5.49mm
	Höhe 1.1mm
	Automobilstandard Nein

Infineon BSC040N08NS5 Serie MOSFET, 80 V maximale Drain-Source-Spannung, 100 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC040N08NS5ATMA1

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Silizium-Verbesserungsgerät, das für Hochstromschaltungen in oberflächenmontierten Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten industriellen Temperaturbereich und eignet sich für Systeme, die eine robuste Leitfähigkeit und schnelles Schalten erfordern. Das Gerät bietet eine hohe Dauerstrombelastbarkeit und ist für den Einsatz in Bereichen konfiguriert, in denen eine kompakte, verlustarme Stromverarbeitung erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:

• 80 V Ablassspannung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 100 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung hoher Stromlasten
• Niedrige Rds(on) von 5.7 mΩ zur Verringerung der Leitungsverluste
• 104 W Verlustleistung für erhöhte thermische Belastung
• 43 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effiziente Schaltübergänge
• Vgs 20 V maximale Gate-Nennleistung ermöglicht große Gate-Drive-Margen

Anwendungsbereich

• Geeignet für DC/DC-Wandler in Energiemanagementsystemen
• Ideal für Motorantriebsstufen in industriellen Steuerungen
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet
• Kann zum Schalten von Hochstromlasten in Telekommunikationsregalen verwendet werden
• Geeignet für Leistungsstufe-Implementierungen in Wechselrichtermodulen

Welche Gehäusetyp wird verwendet und warum ist das relevant?

Er wird in einem kompakten TDSON-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das Layouts mit niedriger Induktivität und eine effiziente Wärmeübertragung auf Board-Ebene ermöglicht.

Was sind die Umgebungsgrenzen für den Betrieb dieses Geräts?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in einem breiten Bereich von industriellen Temperaturbedingungen.

Wie viele Anschlüsse bietet das Gehäuse für die Leiterplattenverlegung?

Das Gerät verfügt über acht Pins zur Unterstützung von Strom- und Gate-/thermischen Verbindungen für eine robuste Leiterplatten-Integration.

Wie lautet die Kanalführung und der Modus für die Schaltungsentwicklung?

Es verwendet eine N-Kanal-Enhancement-Modus-Konfiguration, die für Low-Side- und synchrone Schalttopologien geeignet ist.