Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 170-2311
Herst. Teile-Nr.:: BSC030N08NS5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:: 170-2311
Herst. Teile-Nr.:: BSC030N08NS5ATMA1
Marke:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Gehäusegröße	TDSON
Serie	OptiMOS™ 5
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	3 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.8V
Gate-Schwellenspannung min.	2.2V
Verlustleistung max.	139 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	6.35mm
Länge	5.49mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	61 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.1V
Höhe	1.1mm

Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

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