Infineon BSC040N10NS5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Verbesserungstransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für kompakte Leistungsschritte auf Leiterplattenebene ausgelegt, bei denen geringe Leitungsverluste und eine hohe Strombelastbarkeit erforderlich sind. Das Gerät wird in einem flachen, bleifreien Gehäuse geliefert, das für die automatisierte Montage und das Wärmemanagement geeignet ist.

• 100 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglichen die Handhabung hoher Lasten
• 100 V Drain-Source-Nennleistung unterstützt Hochspannungsschaltung
• 5.6 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• 58 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik
• Die maximale Verlustleistung von 139 W ermöglicht einen erheblichen Wärmedurchsatz
• Die Gate-Source-Toleranz von ±20 V gewährleistet einen robusten Gate-Drive-Bereich

• Geeignet für Hochleistungs-DC/DC-Wandler in industriellen Systemen
• Ideal für Motorumrichter-Halbbrückenstufen auf Oberflächenplatinen
• Einsatz mit Batteriemanagementsystemen, die hohe Stromstärken erfordern
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Nützlich in Server-Stromversorgungsmodulen, bei denen die thermische Dichte eine Rolle spielt

Das Gerät ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz sowohl in Umgebungen mit Kaltstart als auch mit erhöhter Temperatur, ohne dass die typischen Verlustleistungsüberlegungen überschritten werden.

Das bedrahtlose 8-polige TDSON-Gehäuse und das 1,1-mm-Profil ermöglichen eine enge Platzierung der Komponenten und erleichtern gleichzeitig die Wärmeleitung in Leiterplattenkupfer und Wärmeleitungen für eine verbesserte Wärmeableitung.

Die maximale zulässige Gate-Source-Spannung beträgt 20 V, sodass Gate-Treiber innerhalb dieses Bereichs begrenzt werden sollten und bei der Anpassung des Treiberstroms an die gewünschte Übergangszeit die typische Gate-Ladung von 58 nC berücksichtigen sollten.

Mit einem geringen Einschaltwiderstand von 5,6 mΩ und einer hohen Dauerstromfähigkeit minimiert er I2R-Verluste während der Leitung und verbessert die Gesamteffizienz des Systems bei erheblichen Lastströmen.