Infineon IPT015N10N5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 300 A 375 W, 9-Pin HSOF

RS Best.-Nr.:: 170-2320
Herst. Teile-Nr.:: IPT015N10N5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPT015N10N5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 300 A 375 W, 9-Pin HSOF

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RS Best.-Nr.:: 170-2320
Herst. Teile-Nr.:: IPT015N10N5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	300A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	IPT015N10N5
	Gehäusegröße	HSOF
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	9
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	375W
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	169nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	10.58mm
	Höhe	2.4mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.1mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie IPT015N10N5
	Gehäusegröße HSOF
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 9
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 375W
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 169nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 10.58mm
	Höhe 2.4mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Infineon IPT015N10N5 Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 300 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IPT015N10N5ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Schaltgerät, das für die Leistungsumwandlung und Motorsteuerung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Baugruppen vorgesehen, bei denen eine robuste Leitfähigkeit und ein schnelles Schalten erforderlich sind. Die Komponente eignet sich für Entwickler, die einen kompakten Hochleistungstransistor für Anwendungen suchen, die erhebliche Ableitströme und eine hohe Spannungsbelastbarkeit erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Die Ablassspannung von 100 V ermöglicht Schaltanwendungen mit höherer Spannung
• 300 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• 2 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• 169 nC typische Gate-Ladung reduziert Schaltenergiekompromisse
• Maximale Verlustleistung von 375 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Drive-Spannungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-Motorantriebsstufen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird mit Wechselrichtermodulen für industrielle Antriebe verwendet
• Kann für Gleichspannungswandler in Stromversorgungssystemen verwendet werden
• Geeignet für Traktions- oder Antriebselektronik

Welchen Temperaturbereich kann ich für raue Umgebungen erwarten?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und eignet sich für erhöhte Anschlussbedingungen.

Welche Befestigungsmethode ist für die Leiterplatten-Integration erforderlich?

Das Gerät ist für die Oberflächenmontage in einem HSOF-Gehäuse für die automatisierte Montage vorgesehen.

Wie viele Stifte sind für die Anschluss- und Layoutplanung verfügbar?

Das Gehäuse verfügt über neun Pins, die robuste Strompfade und Gate/Drain/Source-Anordnungen ermöglichen.

Welchen Kanalmodus und -typ verwendet er für die Schalttopologie?

Das Gerät ist ein N-Kanal-MOSFET, der im Enhancement-Modus arbeitet und für Low-Side- oder High-Side-Anordnungen mit entsprechender Gate-Ansteuerung geeignet ist.