Infineon IPT0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 321 A 375 W, 8-Pin IPT017N10NM5LF2ATMA1 PG-HSOF-8

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RS Best.-Nr.:
351-906
Herst. Teile-Nr.:
IPT017N10NM5LF2ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

321A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Serie

IPT0

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

165nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

10.1 mm

Normen/Zulassungen

Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC

Höhe

1.30mm

Länge

10.58mm

Automobilstandard

Nein

Der klassenbeste OptiMOS 5 Linear-FET 2 100 V in TO-Leadless (TOLL) von Infineon bietet den branchenweit niedrigsten RDS(on) und ein breites SOA bei 25 ˚C. Die Kombination aus der OptiMOS 5 Linear FET 2-Technologie und dem TOLL-Gehäuse wurde entwickelt, um höchste Leistungsdichte für Einschaltstromschutzanwendungen wie Hot-Swap, E-Sicherung und Batterieschutz in Batteriemanagementsystemen (BMS) zu bieten.

Großer sicherer Betriebsbereich (SOA)

Niedriger RDS(on)

Geringere IGSS im Vergleich zu linearen FET

Optimierte Übertragungskennlinie

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