Infineon IGT65 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 70 A 236 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 351-969
- Herst. Teile-Nr.:
- IGT65R025D2ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IGT65 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.03Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 236W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC for Industrial Applications | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Serie IGT65 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.03Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 236W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC for Industrial Applications | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
MOSFET der Serie IGT65 von Infineon, 650 V Drain-Source-Spannung, 70 A kontinuierlicher Drain-Strom – IGT65R025D2ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für anspruchsvolle industrielle Umgebungen entwickelt wurde. Er funktioniert über einen erweiterten Temperaturbereich und wird in einem oberflächenmontierten Gehäuse geliefert, das für kompakte Leiterplatten geeignet ist. Das Gerät ist für Leistungsumwandlungs- und Schaltfunktionen vorgesehen, bei denen eine hohe Spannungstoleranz und eine robuste Dauerstromverarbeitung erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Drain-Festigkeit von 650 V für Hochspannungsschaltanwendungen
• Kontinuierliche Ablassleistung von 70 A für dauerhafte Lasthandhabung
• 0.03 Ω Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 236 W für den thermischen Kopfraum
• 11 nC typische Gate-Ladung für schnellere Schaltübergänge
• 10-V-Gate-Nennwert, kompatibel mit Standard-Gate-Drive-Spannungen
• Kontinuierliche Ablassleistung von 70 A für dauerhafte Lasthandhabung
• 0.03 Ω Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 236 W für den thermischen Kopfraum
• 11 nC typische Gate-Ladung für schnellere Schaltübergänge
• 10-V-Gate-Nennwert, kompatibel mit Standard-Gate-Drive-Spannungen
Anwendungsbereiche
• Ideal für industrielle Schaltnetzteile und Wechselrichter
• Geeignet für Motorsteuerungsstufen in Hochspannungssystemen
• Verwendung mit Hochspannungs-DC/DC-Wandlern zur Energieumwandlung
• Kann für hart schaltende Topologien in der Leistungselektronik verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikationsstromverteilung und Hilfsversorgungen
• Geeignet für Motorsteuerungsstufen in Hochspannungssystemen
• Verwendung mit Hochspannungs-DC/DC-Wandlern zur Energieumwandlung
• Kann für hart schaltende Topologien in der Leistungselektronik verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikationsstromverteilung und Hilfsversorgungen
Welche Gehäuseart wird verwendet und wie wirkt sich dies auf die Leiterplattenmontage aus?
Das Gerät wird in einem PG-HSOF-8-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das ein automatisiertes Reflow-Löten und kompakte Leiterplatten-Layouts ermöglicht und gleichzeitig mehrere thermische und elektrische Leitungen bietet.
Welche Überlegungen sollten bei Gate-Antrieben für einen zuverlässigen Betrieb berücksichtigt werden?
Halten Sie den Gate-Antrieb innerhalb von ±10 V und stellen Sie einen Rücklaufpfad mit niedriger Impedanz bereit, um Schalttransienten zu minimieren und eine vorhersehbare Ein- und Ausschaltzeit zu gewährleisten.
Wie wirkt sich der Temperaturbereich auf den Einsatzort aus?
Der Bemessungsbetriebsbereich von -55 °C bis 150 °C ermöglicht die Platzierung sowohl in Kaltstart- als auch in Hochtemperatur-Industriegehäusen, ohne die grundlegende Schaltleistung zu beeinträchtigen.
Welche Thermomanagement-Strategien werden für den Dauerbetrieb empfohlen?
Verwenden Sie eine ausreichende Kupferfläche oder einen speziellen Kühlkörper unter dem Gehäuse, sorgen Sie für gute Wärmeleitwege auf der Leiterplatte und berücksichtigen Sie den Luftstrom, um die Sperrschichttemperaturen innerhalb sicherer Grenzen zu halten.
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