Infineon IGT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 13 A 47 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 351-965
- Herst. Teile-Nr.:
- IGT65R140D2ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
17,70 €
(ohne MwSt.)
21,05 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 2.000 Einheit(en) mit Versand ab 23. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,54 € | 17,70 € |
| 50 - 95 | 3,362 € | 16,81 € |
| 100 + | 3,114 € | 15,57 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 351-965
- Herst. Teile-Nr.:
- IGT65R140D2ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | IGT65 | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.17Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 47W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC for Industrial Applications | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie IGT65 | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.17Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 47W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC for Industrial Applications | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der CoolGaN von Infineon ist ein hocheffizienter Galliumnitrid (GaN)-Transistor für die Leistungsumwandlung. Er ermöglicht eine höhere Leistungsdichte, unterstützt die Reduzierung der Systemkosten und erleichtert die Miniaturisierung der Formfaktoren. Er wird mit Hilfe der Wafer-Technologie und vollautomatischer Produktionslinien hergestellt und zeichnet sich durch enge Fertigungstoleranzen und höchste Produktqualität aus. Dadurch eignet er sich für ein breites Spektrum von Anwendungen, von der Unterhaltungselektronik bis hin zu industriellen Anwendungen.
Transistor im Anreicherungsmodus
Ultraschnelles Schalten
Keine Reverse-Recovery-Ladung
Fähigkeit zur Rückleitung
Niedrige Gate- und Ausgangsladung
Überlegene Robustheit der Kommutierung
Verwandte Links
- Infineon IGT65 Typ N-Kanal 8-Pin IGT65R025D2ATMA1 PG-HSOF-8
- Infineon IGT65 Typ N-Kanal 8-Pin IGT65R055D2ATMA1 PG-HSOF-8
- Infineon IGT65 Typ N-Kanal 8-Pin IGT65R045D2ATMA1 PG-HSOF-8
- Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 N-Kanal 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IGLR65 Typ N-Kanal 8-Pin IGLR65R140D2XUMA1 PG-TSON-8
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 8-Pin IMT65R107M1HXUMA1 PG-HSOF-8
- Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device N-Kanal 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device N-Kanal 8-Pin PG-HSOF-8