Infineon IGT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 38 A 131 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 351-968
- Herst. Teile-Nr.:
- IGT65R045D2ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 38A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | IGT65 | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.054Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 131W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 38A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie IGT65 | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.054Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 131W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der CoolGaN von Infineon ist ein hocheffizienter Galliumnitrid (GaN)-Transistor für die Leistungsumwandlung. Er ermöglicht eine höhere Leistungsdichte, unterstützt die Reduzierung der Systemkosten und erleichtert die Miniaturisierung der Formfaktoren. Er wird mit Hilfe der Wafer-Technologie und vollautomatischer Produktionslinien hergestellt und zeichnet sich durch enge Fertigungstoleranzen und höchste Produktqualität aus. Dadurch eignet er sich für ein breites Spektrum von Anwendungen, von der Unterhaltungselektronik bis hin zu industriellen Anwendungen.
Transistor im Anreicherungsmodus
Ultraschnelles Schalten
Keine Reverse-Recovery-Ladung
Fähigkeit zur Rückleitung
Niedrige Gate- und Ausgangsladung
Überlegene Robustheit der Kommutierung
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