Infineon IPT0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 243 A 300 W, 8-Pin IPT023N10NM5LF2ATMA1 PG-HSOF-8

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RS Best.-Nr.:
351-908
Herst. Teile-Nr.:
IPT023N10NM5LF2ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

243A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Serie

IPT0

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

144nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.58mm

Breite

10.1 mm

Normen/Zulassungen

RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified

Höhe

2.40mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
AT
Die Infineon OptiMOS 5 Linear FET 2-Technologie ermöglicht den klassenbesten Kompromiss zwischen Durchlasswiderstand und linearer Betriebsfähigkeit. In Kombination mit dem TOLL-Gehäuse ist der IPT023N10NM5LF2 für den Einschaltstromschutz wie Hot-Swap, E-Sicherung und Batterieschutz in Batteriemanagementsystemen (BMS) vorgesehen.

Großer sicherer Betriebsbereich (SOA)

Niedriger RDS(on)

Geringere IGSS im Vergleich zu linearen FET

Optimierte Übertragungskennlinie

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