MagnaChip MDF11N60BTH N-Kanal, THT MOSFET 660 V / 11 A 49 W, 3-Pin TO-220F

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Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET (HV) MOSFET, mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltleistung.

MOSFET-Transistoren, MagnaChip

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11 A
Drain-Source-Spannung max.	660 V
Gehäusegröße	TO-220F
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	550 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	49 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.93mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	38,4 nC @ 10 V
Länge	10.71mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.4V
Höhe	16.13mm