MagnaChip N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5,7 A 27,1 W, 3-Pin TO-220F

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RS Best.-Nr.:
170-3043
Herst. Teile-Nr.:
MMF60R750PTH
Marke:
MagnaChip
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Marke

MagnaChip

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

5,7 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-220F

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

750 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Verlustleistung max.

27,1 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

14 nC @ 10 V

Länge

10.71mm

Breite

4.93mm

Höhe

16.13mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Ursprungsland:
CN

Super Junction-MOSFET (SJ)


Diese MOSFETs verwenden die Super Junction-Technologie von MagnaChip, um Widerstand und Gate-Ladung gering zu halten. Sie sind sehr wirksam durch den Einsatz optimierter Ladungskopplungstechnologie.

Geringe elektromagnetische Störungen
Geringer Leistungsverlust durch Hochgeschwindigkeitsschaltung und geringen Widerstand


MOSFET-Transistoren, MagnaChip

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