Nexperia Doppelt NX3020NAKS Typ N-Kanal 2, Oberfläche Trench-MOSFET 30 V Erweiterung / 180 mA 1.1 W, 6-Pin TSSOP
- RS Best.-Nr.:
- 170-4878
- Herst. Teile-Nr.:
- NX3020NAKS,115
- Marke:
- Nexperia
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- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | Trench-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | NX3020NAKS | |
| Gehäusegröße | TSSOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.26nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1W | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.2mm | |
| Breite | 1.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ Trench-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie NX3020NAKS | ||
Gehäusegröße TSSOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.26nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1W | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.2mm | ||
Breite 1.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Robuste Verbindung zwischen asynchronen und synchronen Systemen. Flipflops sind einfache Speicherelemente in der digitalen Elektronik. Flipflops ermöglichen eine Änderung des Ausgangs bei einem Flankenwechsel und bieten eine robuste Verbindung zwischen asynchronen und synchronen Systemen. Mit einer Auswahl von Optionen mit Auslösung an der positiven oder der negativen Flanke sorgen sie für zusätzliche Entwurfsflexibilität.
Zweifach-N-Kanal Halbleiter-Feldeffekttransistor Enhancement Mode (FET) in einem extrem kleinen SOT363 (SC-88) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET Technologie.
Sehr schnelle Schaltung
Trench MOSFET-Technologie
ESD-Schutz
Niedrige Schwellenspannung
Anwendungsbereiche
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Low-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen
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