Infineon SPA20N60C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20.7 A 34.5 W, 4-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 171-1920
Distrelec-Artikelnummer:: 304-30-528
Herst. Teile-Nr.:: SPA20N60C3XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon SPA20N60C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20.7 A 34.5 W, 4-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 171-1920
Distrelec-Artikelnummer:: 304-30-528
Herst. Teile-Nr.:: SPA20N60C3XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	20.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	SPA20N60C3
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	190mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	34.5W
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	87nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	16.15mm
	Länge	10.65mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie SPA20N60C3
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 34.5W
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 87nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 16.15mm
	Länge 10.65mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Infineon MOSFET

Der Infineon TO-220FP-3 N-Kanal-MOSFET für Durchgangsbohrung ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 190 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat einen kontinuierlichen Drain-Strom von 20,7 A. Er hat eine maximale Gate-Quellspannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 600 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 34,5 W. Der MOSFET hat eine Antriebsspannung von 10 V. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Einfach zu bedienen

• Feldbewährte CoolMOM-Qualität

• Hoher Wirkungsgrad und hohe Leistungsdichte

• Hohe Peak Current Capability

• Hohe Zuverlässigkeit

• Verbesserte Transkonduktivität

• bleifrei (Pb)

• Niedrige Gate-Ladung (Qg)

• Niedriger spezifischer Widerstand im eingeschalteten Zustand

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• Herausragende Kosten/Leistung

• Regelmäßige Lawineneinstufung

• Sehr niedrige Gate-Ladung

• Sehr energiesparende Speicherung in Ausgangskapazität (Eoss) 400 V

Anwendungen

• Adapter

• PC-Stromversorgung

• Servernetzteile

• Telekommunikation

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• JEDEC