International Rectifier IRF7424PbF IRF7424TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2,5 W, 8-Pin SO-8

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

Der Infineon IRF7424 ist ein 30-V-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal in einem SO-8-Gehäuse. Das SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Kabelrahmen für verbesserte thermische Eigenschaften und Mehrfach-Matrize-Fähigkeit modifiziert und ist daher ideal für eine Vielzahl von Stromversorgungsanwendungen.

RoHS-konform
Branchenführende Qualität
Pinbelegung nach Industriestandard
P-Kanal-MOSFET

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.