Infineon IPD200N15N3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 50 A 150 W, 5-Pin TO-252

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171-1945
Herst. Teile-Nr.:
IPD200N15N3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD200N15N3 G

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.45 mm

Länge

10.36mm

Höhe

4.57mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IPD200N15N3 G ist 150 V OptiMOS erreicht eine Reduzierung des R DS(on) von 40 % und von 45 % in der Leistungszahl (FOM) im Vergleich zum nächstbesten Mitbewerber. Diese drastische Verbesserung eröffnet neue Möglichkeiten wie den Übergang von bleihaltigen auf SMD-Gehäuse oder den effektiven Austausch von zwei alten Teilen durch ein OptiMOS-Teil.

Ausgezeichnetes Schaltvermögen

Weltweit niedrigster R DS(on)

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